[17p-P07-1~6] 22.1 合同セッションM 「フォノンエンジニアリング」

[17p-P07-6] SiO₂/Si/SiO₂構造における表面フォノンポラリトンの伝搬長の膜厚依存性

〇立川 冴子¹、オルドネス‐ミランダ ホセ²、ウー ユンフイ¹、ジャラベール ロラン^1,3、アヌフリエフ ロマン¹、ヴォルツ セバスチャン^1,3、野村 政宏¹ (1.東大生研、2.Inst. Pprime, CNRS、3.LIMMS/CNRS-IIS)

キーワード：表面フォノンポラリトン、熱伝導、半導体材料

単一薄膜に比べ機械的に安定な系を検討するため、SiO₂/Si/SiO₂の３層膜構造における表面フォノンポラリトンの伝播について調べた。シリコン層が十分厚い場合は、吸収のないSi層を伝播してエネルギーを運ぶモードがあるので伝搬長が長くなる。一方Si層が波長より短い場合には、上下のSiO₂層のカップリングの寄与が大きくなるので、再び伝搬長が大きくなることが計算により明らかになった。