[17p-Z02-1~7] 相変化メモリ材料の進展と将来展望

[17p-Z02-3] 相変化メモリ・セレクタ材料の局在準位評価

〇後藤 民浩¹、Min Zhu² (1.群馬大理工、2.SIMIT-CAS)

キーワード：相変化メモリ、セレクタ、状態密度

次世代高密度メモリや神経細胞を模したニューロモーフィック素子に用いられるカルコゲナイド材料の状態密度を実験的に明らかにした。相変化メモリとセレクタの抵抗遷移過程の制御には、局在準位の理解が不可欠である。そこで赤外光熱偏向分光法を用い、相変化メモリ材料Ge₂Sb₂Te₅薄膜およびセレクタ材料GeS薄膜の弱光吸収を評価した。スペクトルの解析により電子状態密度を明らかにし、キャリアの生成機構について考察する。