[17p-Z02-1~7] 相変化メモリ材料の進展と将来展望

[17p-Z02-7] 省エネ・高速化に向けた新相変化メモリ材料開発

〇須藤 祐司¹、畑山 祥吾¹、森 竣祐¹、双 逸¹ (1.東北大工)

キーワード：不揮発性メモリ、カルコゲナイド、相変態

本発表では、我々が最近取り組んでいる遷移金属を含むカルコゲナイド系材料について、相転移メカニズムや電極界面接触抵抗の影響について触れ、将来に向けたPCRAMの省エネ・高速化の可能性について紹介する。