[17p-Z12-1~12] Progress and future prospects of graphene research~10 years since receiving the Nobel Prize in Physics~

[17p-Z12-7] Progress and prospects of research on epitaxial graphene on SiC

〇Wataru Norimatsu¹ (1.Nagoya Univ.)

Keywords:graphene

SiCの熱分解により成長するグラフェンの特徴は、ウェハースケールの単一方位グラフェンを、絶縁性基板であるSiC上に直接形成できる点にある。そのため、エレクトロニクス応用に適しているとされ、多くの研究がなされてきた。本発表では、グラフェンのノーベル賞の2010年前後から現在までの、SiC上グラフェン研究の進展と、現在の状況および今後の展望について述べる。