14:00 〜 14:15
[17p-Z13-3] Pt結晶膜上へのTa2O5圧電薄膜の成膜と評価
キーワード:五酸化タンタル、エピタキシャル成長、弾性表面波
RFマグネトロンスパッタリング装置を用いて, Pt/Si基板上に圧電性Ta2O5薄膜を成膜し,配向性,SAW特性,BAW特性を評価した.
XRDよりPt/Si上への成膜では,Si上への成膜には現れないピークが観測され,Ptの格子面を感受してTa2O5薄膜がエピタキシャル成長していると考えられる.しかし,この試料のHBARの応答から求めた電気機械結合係数が,Ptを感受していない試料より小さくなった.
XRDよりPt/Si上への成膜では,Si上への成膜には現れないピークが観測され,Ptの格子面を感受してTa2O5薄膜がエピタキシャル成長していると考えられる.しかし,この試料のHBARの応答から求めた電気機械結合係数が,Ptを感受していない試料より小さくなった.