[17p-Z14-1~9] 3.12 Nanoscale optical science and near-field optics

△ [17p-Z14-8] Uncooled Si infrared photodetector for 1.3-1.9 μm-wavelength using stimulated emission by dressed photons

〇Takuya Kadowaki¹, Tadashi Kawazoe¹, Motoichi Ohtsu², Masahiko Sano¹, Takashi Mukai¹ (1.Nichia corp., 2.RODreP)

Keywords:Dressed photon, Si, Photodetector

ドレスト光子(DP)技術によりSi結晶を用いた非冷却型の赤外受光素子を作製した。この素子では入射光により生成されたDPが励起したコヒーレントフォノンを介して電子がバンド間励起されるため、バンドギャップエネルギーで決まるλ_c以上の長波の光にも感度を持つ。特に波長1.9 μmでの感度は室温で2×10^-3 A/Wであり中赤外領域でも非常に高い感度を持つ可能性を示した。