[17p-Z17-1~19] 9.4 熱電変換

[17p-Z17-6] キャリア散乱過程の温度依存性を考慮した単結晶 Bi ワイヤーの輸送係数

〇山下 大輔¹、長谷川 靖洋¹ (1.埼玉大院)

キーワード：単結晶ビスマスワイヤー、キャリア散乱過程、輸送係数

近年、多結晶バルクBi材料では結晶粒径よりもキャリアの平均自由行程が大きくなる50 K付近から低温側において、散乱過程がイオン化不純物散乱を示すことが報告されており、平均自由行程がワイヤー直径方向に制限される単結晶Biワイヤーにおいても散乱過程の変化を導入したモデルの必要性が示唆されている。そこで本講演では散乱過程の温度依存性を仮定した単結晶Biワイヤーの輸送係数モデル計算を行った結果について報告する。