[17p-Z18-1~16] 9.2 Nanoparticles, Nanowires and Nanosheets

[17p-Z18-3] Doping layer thickness dependence on optical-power conversion characteristics
of InP nanowire

〇(M1)Kei Kuwahara¹, Riki Ishihara¹, Yuta Katori¹, Kazuhiko Shimomura¹ (1.Sophia Univ.)

Keywords:Nanowire, InP, Photovoltaic

InPは直接遷移型半導体でありながら1.344eVのバンドギャップエネルギーを持つため、太陽光スペクトルを吸収するのに適している[1]。また、ナノワイヤはプレーナ型の太陽電池よりも表面積が大きくなる利点もあるため、次世代の太陽電池への応用が期待されている。そこで、我々はInPナノワイヤのシミュレーションモデルをCOMSOL Multiphysics 5.5にて作成し、その光吸収特性を研究している。本報告ではInPナノワイヤのドーピング層厚を変化させることにより、光―電力変換特性の変化及び、その考察について述べる。