[17p-Z20-1~13] 11.1 基礎物性

[17p-Z20-12] ミスカット基板を用いたNdFeAs(O,H)薄膜の抵抗率異方性の測定

〇陳 明宇¹、近藤 圭祐¹、畑野 敬史^1,2、浦田 隆広¹、飯田 和昌^1,2、生田 博志¹ (1.名大工、2.JST CREST)

キーワード：超伝導、水素ドープNdFeAsO、抵抗率異方性

ミスカット基板上にエピタキシャル成長したNdFeAs(O,H)薄膜を用いてab面内(ρ_ab)とc軸方向(ρ_c)抵抗率測定を行った。ρ_cはρ_abに比べて大きく、ともに金属的な振る舞いを示した。NdFeAs(O,H)の抵抗率の異方性は300Kで17で、NdFeAs(O,F)の約四分の一であった。この差は低温になると、さらに大きくなり、50Kでは、五分の一になった。