[17p-Z23-1~17] 12.2 Characterization and Materials Physics

[17p-Z23-11] Bottom-Line-Gate Nanogap Electrodes for Molecule Transistor

〇Taisei Igakura¹, Takumi Nishinobo¹, Tue Phan Trong¹, Yutaka Majima¹ (1.Tokyo Tech)

Keywords:Molecule Transistor, Bottom-Line-Gate, High-k

単分子トランジスタ（Single-molecule transistor: SMT）は、次世代トランジスタとして期待されているが、数nmの分子のゲート変調を可能とする、安定なナノギャップ電極を作製することが困難であるため、安定に動作するSMTに関する報告例は少ない。本研究は、SMT動作に必要な条件である大きなゲート容量(C_g)の実現を目的としている。High-k誘電体であるHfO₂をゲート絶縁薄膜として用いたボトムラインゲートナノギャップ電極と、この構造を用いたSMTの特性を報告する。