[17p-Z27-1~14] 15.4 III-V-group nitride crystals

[17p-Z27-10] Luminescence studies of nearly lattice-matched c-plane AlInN/GaN heterostructures

〇Liyang Li¹, Kohei Shima¹, Mizuki Yamanaka², Kazunobu Kojima¹, Takashi Egawa², Tetsuya Takeuchi³, Makoto Miyoshi², Shigefusa F. Chichibu^1,4 (1.IMRAM-Tohoku Univ., 2.Nagoya Inst. Tech., 3.Meijo Univ., 4.Nagoya Univ.)

Keywords:Radiative/nonradiative recombination lifetime, AlInN

AlInNは、禁制帯幅波長が深紫外線から赤外線にまたがる直接遷移型半導体混晶であり、発光素子への応用が期待できる。AlNとInNは非混和系であるため、表面が平滑で組成が均一なAlInN薄膜を得ることは容易ではないが、InNモル分率が約0.17のAlInNはGaNと格子整合するため、GaN上に厚いエピタキシャル層を成長させることが可能である。三好らはGaNテンプレートないしは自立GaN基板上に平滑なc面AlInN薄膜をMOVPE成長させてきたが、発光層として用いるためには禁制帯幅ないしは組成の空間的不均一性や空孔型欠陥、不純物が内部量子効率に与える影響を評価する必要がある。