[17p-Z27-1~14] 15.4 III-V族窒化物結晶

[17p-Z27-10] 格子整合系c面AlInN/GaNヘテロ構造のルミネッセンス評価

〇李 リヤン¹、嶋 紘平¹、山中 瑞樹²、小島 一信¹、江川 孝志²、竹内 哲也³、三好 実人²、秩父 重英^1,4 (1.東北大多元研、2.名工大、3.名城大、4.名大IMaSS)

キーワード：輻射・非輻射再結合寿命、窒化アルミニウムインジウム

AlInNは、禁制帯幅波長が深紫外線から赤外線にまたがる直接遷移型半導体混晶であり、発光素子への応用が期待できる。AlNとInNは非混和系であるため、表面が平滑で組成が均一なAlInN薄膜を得ることは容易ではないが、InNモル分率が約0.17のAlInNはGaNと格子整合するため、GaN上に厚いエピタキシャル層を成長させることが可能である。三好らはGaNテンプレートないしは自立GaN基板上に平滑なc面AlInN薄膜をMOVPE成長させてきたが、発光層として用いるためには禁制帯幅ないしは組成の空間的不均一性や空孔型欠陥、不純物が内部量子効率に与える影響を評価する必要がある。