[17p-Z27-1~14] 15.4 III-V族窒化物結晶

[17p-Z27-13] 低圧酸性アモノサーマル成長バルクGaN結晶のルミネッセンス評価

嶋 紘平¹、栗本 浩平²、包 全喜²、三川 豊³、小島 一信¹、石黒 徹¹、〇秩父 重英¹ (1.東北大多元研、2.日本製鋼所、3.三菱ケミカル)

キーワード：半導体、GaN、アモノサーマル法

大量生産に向く、比較的低圧（100 MPa程度）条件にて酸性鉱化剤を用いたアモノサーマル法で成長させたバルクGaN結晶のPLおよび時間分解PL測定の結果を紹介する。
室温でバンド端発光の時間分解PLが測定できるほどSRH再結合中心濃度が低く、モゼイク性も極めて低く反りの殆ど無い（曲率半径数百ｍ以上）GaNを再現性良く合成できるようになった。