[17p-Z27-1~14] 15.4 III-V族窒化物結晶

[17p-Z27-2] 完全緩和した{11-22}InGaN下地層上の多重量子井戸の発光特性

〇俵迫 湧也¹、河村 澪²、西 直矢²、原田 裕也¹、ヌルファラ ナジハ マザラン¹、岡田 成仁²、倉井 聡²、山田 陽一²、只友 一行² (1.山大工、2.山大院創成科学研)

キーワード：半導体、窒化インジウムガリウム