[17p-Z27-1~14] 15.4 III-V族窒化物結晶

[17p-Z27-3] InGaN量子井戸の発光温度消光の励起波長依存

〇山口 拓海¹、有賀 恭介¹、森 恵人¹、山口 敦史¹ (1.金沢工大)

キーワード：InGaN量子井戸、内部量子効率、発光温度消光

窒化物半導体の内部量子効率(IQE)は、発光強度の温度変化から、極低温におけるIQEが100%であると仮定して見積もられることが多い。本研究では、同一のInGaN量子井戸試料に対して、様々な励起波長で発光強度の温度依存性を測定し、励起波長によって見積もられるIQE率が全く異なることを示した。そして、この現象が バンドギャップの温度変化に伴う励起キャリア密度の変化に起因することを示した。