[17p-Z27-1~14] 15.4 III-V-group nitride crystals

[17p-Z27-4] Spatio-time-resolved cathodoluminescence study of InGaN/GaN multiquantum shells

〇Kohei Shima¹, Weifang Lu², Kazunobu Kojima¹, Satoshi Kamiyama², Tetsuya Takeuchi², Shigefusa Chichibu^1,3 (1.IMRAM-Tohoku Univ., 2.Meijo Univ., 3.IMaSS-Nagoya Univ.)

Keywords:InGaN, multi-quantum shell, Spatio-time-resolved cathodoluminescence

Sub-μmスケールかつ3次元構造のInGaN/GaN多重量子殻(MQS)では構成元素や不純物、空孔型欠陥等の不均一取り込みに起因する混晶組成やキャリア濃度、内部量子効率の不均一性が想定されるため、それらを正しく評価することが必要である。我々は、フェムト秒レーザ励起光電子銃を走査型電子顕微鏡に搭載する時間空間分解カソードルミネッセンス(STRCL)装置を開発してきた。本報告では、InGaN/GaN MQSの局所的な発光寿命をSTRCL法により計測した結果を元に不純物や空孔型欠陥の分布について考察する。