[17p-Z27-1~14] 15.4 III-V族窒化物結晶

△ [17p-Z27-8] 2次元フォトニック結晶ナノ共振器の輻射場によるGaN中Euイオンの発光遷移確率の増大

〇岩谷 孟学¹、村上 雅人¹、市川 修平¹、舘林 潤¹、藤原 康文¹ (1.阪大院工)

キーワード：GaN:Eu、フォトニック結晶ナノ共振器、パーセル効果

我々はこれまでに、有機金属気相成長(OMVPE)法によりEu添加GaN (GaN:Eu)を活性層とした、高輝度なGaN系赤色発光ダイオードの作製に成功している。しかしながら、発光素子のさらなる高輝度化にむけては、4f殻内遷移特有の低い発光遷移確率が課題となっている。本研究では、GaN:Euに2次元フォトニック結晶ナノ共振器を導入し、Euイオン周りの輻射場変調を試みた。その結果、Eu発光遷移確率を大幅に増大させることに成功したので報告する。