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一般セッション(口頭講演)

15 結晶工学 » 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

[17p-Z28-1~14] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

2021年3月17日(水) 13:30 〜 18:00 Z28 (Z28)

尾崎信彦(和歌山大)、海津利行(神戸大)、富永依里子(広島大)、尾鍋研太郎

16:45 〜 17:00

[17p-Z28-10] InAs/GaAs量子ドットレーザ閾値電流特性へのP型ドーピングの効果

〇角田雅弘¹、權晋寛¹、渡邉克之¹、荒川泰彦¹ (1.東大ナノ量子)

キーワード：分子線エピタキシー