[17p-Z28-1~14] 15.3 III-V-group epitaxial crystals, Fundamentals of epitaxy

[17p-Z28-11] Fabrication and characterization of InAs/GaAs tri-layer quantum dot lasers

〇Wenbo Zhan¹, Jinkwan Kwoen¹, Takaya Imoto¹, Satoshi Iwamoto^1,2,3, Yasuhiko Arakawa¹ (1.NanoQuine, 2.IIS, 3.RCAST, Univ. of Tokyo)

Keywords:tri-layer quantum dots, MBE, quantum dot laser

量子ドットレーザの長波長化に向けて、メタモルフィック層による基板の結晶格子定数の制御の他、量子ドットの近接積層化などの新構造の導入も検討されている。我々は、更なる長波長化を目指して近接多重層量子ドットを提案し、実際に近接三重層量子ドットにおいて PL 波長が長波長にシフトすることを確認した。今回、この InAs/GaAs 近接三重層量子ドットを活性層とするレーザを作製し、E バンドでの室温連続発振を実現したので報告する。