[17p-Z28-1~14] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

[17p-Z28-12] 液滴エピタキシー法によりInP(111)A面上に作製したInAs量子ドットのキャップ無しアニールによる形状変化

〇間野 高明¹、大竹 晃浩¹、Ha Neul¹、野田 武司¹、佐久間 芳樹¹、黒田 隆¹、迫田 和彰¹ (1.物材機構)

キーワード：量子ドット、自己形成、歪

我々は、通信波長帯の量子もつれ光子対実現に向けて、液滴エピタキシー法によるInP(111)A基板上の高対称性InAs量子ドット自己形成に関する研究を行っている。この材料系の液滴エピタキシー法では、キャップ層成長前のInAs量子ドットをアニールすると、量子ドットからInAsが流れ出してInAs二次元構造が形成する。今回、照射量とアニール温度をパラメーターとして、アニールによる量子ドットの形状変化を系統的に分析することにより、量子ドットからのInAsの流れ出しとその抑制機構についての考察を行った。