[17p-Z28-1~14] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

△ [17p-Z28-3] 結晶成長温度の調節によるInGaPにおける表面モフォロジーとキャリア寿命の両立

〇浅見 明太¹、渡辺 健太郎²、中野 義昭¹、杉山 正和^1,2 (1.東大工、2.東大先端研)

キーワード：InGaP、太陽電池、InGaP/GaAsヘテロ接合

InGaP/GaAsヘテロ構造太陽電池では、キャリア寿命の長い高温成長InGaP上に結晶品質の高いGaAsを成長することが重要な課題である。高温成長InGaPには表面平坦性が乏しいという問題点がある。本研究は、高温成長InGaP上に10 nmの低温成長InGaPを成長した構造を提案し、結晶品質の高いGaAsをキャリア寿命の長いInGaP上に成長できることを明らかにした。