[17p-Z31-1~15] 3.11 フォトニック構造・現象

[17p-Z31-15] 厚膜InGaN系犠牲層の光電気化学エッチングによる中空GaNマイクロディスク構造の作製

〇下吉 賢信¹、浮田 駿¹、内田 和男¹、田尻 武義¹ (1.電通大)

キーワード：光電気化学エッチング、窒化物半導体、マイクロディスク