[17p-Z32-1~7] 15.1 バルク結晶成長

[17p-Z32-3] 熱伝導率が異なる複数の断熱材を用いたTSSG法によるSiC結晶成長時の熱輸送の制御

〇(M2)竹原 悠人¹、岡野 泰則¹ (1.阪大基工)

キーワード：TSSG、SiC、ベイズ最適化

SiC結晶成長のためのTSSG法では均一で高い結晶成長速度を達成するために、溶液内部の温度分布を制御する必要がある。本研究では、異なる熱伝導率を有する複数の断熱材を用いて、それらの熱伝導率を最適化することで、溶液内温度分布の制御に取り組んだ。その結果、適切な断熱材配置により溶液内温度分布が制御され、結晶成長速度の改善につながることが示された。