[17p-Z33-1~8] 15.5 Group IV crystals and alloys

[17p-Z33-1] [Young Scientist Presentation Award Speech] Room-temperature electroluminescence from Ge-on-Si by precise in-situ doping control

〇Kodai Yamada¹, Yusuke Hoshi¹, Kentarou Sawano¹ (1.Tokyo City Univ.)

Keywords:electroluminescence, GOS, in-situ doping

近年、オンチップ光配線の実現に向けてシリコンフォトニクスへの期待が高まっており、Si基板上の高効率発光デバイスの実現が求められている。GeはSiと同様に間接遷移型半導体であるが、引っ張り歪みや高濃度ドーピングによって強い直接遷移発光を得ることができ、期待されている。本研究ではin-situドーピングによりエピタキシャルGe中にp-i-n構造を形成し、縦型ダイオードを作製した結果、強い室温EL発光を得た。また、成長後の熱処理によるEL発光増大も確認された。