[17p-Z33-1~8] 15.5 IV族結晶，IV-IV族混晶

[17p-Z33-1] [講演奨励賞受賞記念講演] In-situドーピング制御によるGe-on-Siからの室温EL発光

〇山田 航大¹、星 裕介¹、澤野 憲太郎¹ (1.東京都市大)

キーワード：EL発光、GOS、in-situドーピング

近年、オンチップ光配線の実現に向けてシリコンフォトニクスへの期待が高まっており、Si基板上の高効率発光デバイスの実現が求められている。GeはSiと同様に間接遷移型半導体であるが、引っ張り歪みや高濃度ドーピングによって強い直接遷移発光を得ることができ、期待されている。本研究ではin-situドーピングによりエピタキシャルGe中にp-i-n構造を形成し、縦型ダイオードを作製した結果、強い室温EL発光を得た。また、成長後の熱処理によるEL発光増大も確認された。