[17p-Z33-1~8] 15.5 Group IV crystals and alloys

△ [17p-Z33-5] Triaxial Strain Evaluation for Mesa-structured Carbon-doped Silicon using X-ray Reciprocal Space Mapping

〇Kazutoshi Yoshioka¹, Masato Koharada¹, Gai Ogasawara¹, Ichiro Hirosawa², Takeshi Watanabe², Ryo Yokogawa^1,3, Atsushi Ogura^1,3 (1.Meiji Univ., 2.JASRI, 3.MREL)

Keywords:Carbon-doped Silicon, Reciprocal Space Mapping, Strain Relaxation

1%程度以下のカーボンをシリコンに添加したカーボンドープシリコン(Si:C) はn-MOSFETのストレッサー材料として利用されているが、微細加工によって歪緩和が生じ引っ張り歪量が減少してしまう。本研究では、メサ構造状Si:Cについて放射光X線を用いた逆格子空間マッピング測定による異方性3軸歪緩和の評価を行い、500 nm幅への微細加工でも、印加されていた歪が明確に緩和してしまうことを確認した。