[17p-Z33-1~8] 15.5 IV族結晶，IV-IV族混晶

△ [17p-Z33-5] X線逆格子空間マッピングを用いたメサ構造状カーボンドープシリコンにおける3軸歪評価

〇吉岡 和俊¹、小原田 賢聖¹、小笠原 凱¹、廣沢 一郎²、渡辺 剛²、横川 凌^1,3、小椋 厚志^1,3 (1.明治大理工、2.高輝度光科学研究センター、3.明大MREL)

キーワード：カーボンドープシリコン、逆格子空間マッピング、歪緩和

1%程度以下のカーボンをシリコンに添加したカーボンドープシリコン(Si:C) はn-MOSFETのストレッサー材料として利用されているが、微細加工によって歪緩和が生じ引っ張り歪量が減少してしまう。本研究では、メサ構造状Si:Cについて放射光X線を用いた逆格子空間マッピング測定による異方性3軸歪緩和の評価を行い、500 nm幅への微細加工でも、印加されていた歪が明確に緩和してしまうことを確認した。