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[17p-Z35-8] CdS/Cu2SnS3界面の電子構造
キーワード:カルコゲナイド系太陽電池、Cu2SnS3、表面•界面
硫化法によるCu2SnS3 [CTS]光吸収層、CdS/CTS界面の組成•電子構造の正•逆光電子分光法 [PES/IPES]による評価結果を報告する。CTS表面がバンドギャップエネルギー0.9–1.0 eVを持つ主成分と伝導帯下端の低い成分からなること、CdSとこの主成分との界面の伝導帯接続が界面再結合抑制に有利なsmall spike型となることなどを紹介する。