[18a-P03-1~16] 10 スピントロニクス・マグネティクス(ポスター)

[18a-P03-9] Fe₃O₄(001)/MgO(001)/Fe(001)強磁性トンネル接合における大きな負のTMR効果

安井 彰馬¹、本多 周太²、岡林 潤³、柳瀬 隆⁴、島田 敏宏⁴、〇長浜 太郎⁴ (1.北大総化、2.関大システム理工、3.東大理、4.北大工)

キーワード：マグネタイト、トンネル磁気抵抗効果

Fe3O4はバンド計算により高いスピン分極率を持つと予測され、高性能スピントロニクス材料として期待されている。しかし, Fe3O4を電極に持つMTJはこれまであまり大きなTMR比を示していない。本研究では,エピタキシャルFe3O4(001)/MgO(001)/Fe(001) MTJを作製し,-55.6%の大きなTMRを観測した。これはいわゆるインフレ定義では126％に相当する値である。またTMR比はFe3O4電極のVerwey転移に起因すると思われる特徴的な温度依存性を示した。