[18a-P04-1~14] 10 Spintronics and Magnetics(Poster)

[18a-P04-6] Anomalous Hall effect and electrical switching of
noncollinear antiferromagnetic antiperovskite nitrides Mn₃GaN

〇Kou Sonoda¹, Kento Matsuura¹, Eri Tanaka¹, Hajiri Tetsuya¹, Hidefumi Asano¹ (1.Nagoya Univ.)

Keywords:spin orbit torque switching, noncollinear antiferromagnetic, anomalous hall effect

ノンコリニア反強磁性体である逆ペロブスカイトMn系窒化物Mn₃GaNとPtの積層膜おいて，典型的な強磁性体よりも一桁以上小さい電流密度（1.5×10⁶ A/cm²）の印加により無磁場・室温でホール抵抗を制御可能である事を示してきた。講演では、Mn₃GaN / X (X = Ta, Pt)積層膜における系統的なデータからSOT無磁場磁化反転の詳細についても議論する。