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[18a-P04-9] 界面ディラック電子に起因した磁気異方性に基づく電圧制御磁化反転
キーワード:トポロジカル絶縁体、電圧制御磁気異方性、スピン軌道トルク
本研究では、界面ディラック電子に起因した磁気異方性の電圧制御に基づいて、トポロジカル絶縁体を含む磁性ヘテロ構造における磁化反転を研究した。 また、外部磁場を必要としない不揮発性スピンメモリの機能を備えたトランジスタ型素子を提案した。 低温において磁化反転に要する電流密度とゲート電圧はそれぞれ10^4 A/cm^2と0.1 Vのオーダーであり、現在のスピントロニクス素子よりも十分小さいことがわかった。