2021年第68回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

3 光・フォトニクス » 3.7 レーザープロセシング

[18a-Z04-1~11] 3.7 レーザープロセシング

2021年3月18日(木) 09:00 〜 12:00 Z04 (Z04)

中村 大輔(九大)、佐藤 雄二(阪大)

10:45 〜 11:00

[18a-Z04-7] レーザーアブレーションを用いて液中および真空中で作製したSiCナノ微粒子のサイズ分布の評価

池田 光希1、石原 淳1、宮島 顕祐1 (1.東理大応)

キーワード:アブレーション、ナノ粒子、レーザー

我々は、4H-SiC基板をターゲットとしてレーザーアブレーションを行うと、3C-SiCナノ微粒子が主に作製されることを見出した。しかしながら、アブレーションによるナノ微粒子の作製において、外部環境要因がナノ微粒子にどのような影響を与えるか未だにわかっていない。今回は、液中および真空中でのレーザーアブレーションによりナノ微粒子を作製し、生成される微粒子に与える影響を調べた。