[18a-Z11-1~13] 2.1 放射線物理一般・検出器基礎

[18a-Z11-10] 厚膜BGaN結晶成長におけるGaN中間層の影響およびデバイス特性評価

〇松川 真也¹、太田 悠斗¹、宮澤 篤也¹、中川 央也²、川崎 晟也³、安藤 悠人³、本田 善央⁴、天野 浩^4,5、井上 翼¹、青木 徹²、中野 貴之¹ (1.静大院工、2.静大電研、3.名大院工、4.名大 IMaSS、5.赤崎リサーチセンター)

キーワード：化合物半導体、GaN、中性子