[18a-Z11-1~13] 2.1 放射線物理一般・検出器基礎

[18a-Z11-2] リング発振回路におけるELTの耐放射線評価

〇木村 有佐¹、吉田 僚一郎¹、安藤 幹¹、大島 佑太¹、鍋屋 信介¹、平川 顕二¹、岩瀬 正幸¹、小笠原 宗博¹、依田 孝¹、石原 昇¹、伊藤 浩之¹ (1.東工大工)

キーワード：TID効果、MOSFET、ELT

我々は放射線によってMOSFETの特性を劣化させるTID(Total Ionizing Dose)効果の影響を受け難いCMOS集積回路の構成法，設計法の検討を進めている．本研究では，TID対策の一つとして知られているELT(Enclosed Layout Transistor)の耐放射線特性を確認するとともに，さらに回路動作レベルにおいての影響の評価として通常レイアウトのMOSFETとELTで構成したリング発振ICに対して放射線照射実験を実施した．その結果，ELTで構成したリング発振ICがTID耐性に優れることを確認した．