[18a-Z13-1~11] 6.2 Carbon-based thin films

△ [18a-Z13-5] Highest Quality Heteroepitaxial Diamond Grown on Sapphire Substrate

〇(M1)Ryota Takaya¹, Seong-Woo Kim², Yuki Kawamata², Koji Koyama², Saha Chandra Niloy¹, Makoto Kasu¹ (1.Saga Univ, 2.Adamant Namiki Precision)

Keywords:Heteroepitaxial diamond, Sapphire, Highest Quality

ダイヤモンドはGaNやSiCと比べ、優れた電力性能指数をもち、低消費電力で高効率な次世代パワーデバイスとして期待されている。前回我々はサファイア基板上のヘテロエピタキシャルダイヤモンドの初期成長機構を報告した 。今回我々は、大口径化が可能なサファイア基板を用いて最高品質のヘテロエピタキシャルダイヤモンドが得られたので報告する。