[18a-Z13-1~11] 6.2 カーボン系薄膜

△ [18a-Z13-8] 高濃度ボロンドープ層を有するダイヤモンドMOSFETs:電流密度-1 A/mm及び出力電力密度3.6 W/mmの達成

〇浅井 風雅¹、久樂 顕¹、荒井 雅一¹、鈴木 優紀子¹、平岩 篤¹、川原田 洋^1,2 (1.早稲田大学、2.早大材研)

キーワード：ダイヤモンド、ボロンドープ、高周波MOSFET

FETの出力電力の向上手段として、電流値、耐圧の向上やオン抵抗の低減が有効である。Ⅱa(111)単結晶ダイヤモンド基板上に高濃度ボロンドープ層を有するALD-Al₂O₃ダイヤモンドMOSFETを作製し、ゲート幅拡張及びボロンドープ層が特性に与える影響を評価した。最大ドレイン電流密度-1.03 A/mm、出力電力密度3.6 W/mmを達成し、ボロンドープ層を有するデバイスの可能性を示唆した。