[18a-Z13-1~11] 6.2 カーボン系薄膜

△ [18a-Z13-9] p^-ドリフト層を持つ縦型2DHGダイヤモンドMOSFETの高絶縁破壊電圧(>580 V)の達成

〇(B)太田 康介¹、角田 隼¹、新倉 直弥¹、森下 葵¹、平岩 篤¹、川原田 洋^1,2 (1.早大理工、2.早大材研)

キーワード：MOSFET、ダイヤモンド、縦型

我々はC-H終端構造及び高温ALD-Al₂O₃により面方位に依存せず誘起される2次元正孔ガス(2DHG)を用いた縦型2DHGダイヤモンド MOSFETを報告してきた。本研究では、p^-ドリフト層を備えた(100)縦型2DHGダイヤモンドMOSFETを初めて作製し、現在報告されている縦型ダイヤモンドMOSFETの中で最大の絶縁破壊電圧(V_B: -582 V)を達成した。また、VDS: -50 V、VGS: -20 V にてゲート幅で規格化した最大ドレイン電流密度は 210 mA/mm となった。