[18a-Z15-1~10] 13.7 Compound and power electron devices and process technology

[18a-Z15-1] Diffusion of Mg and H atoms in Mg-implanted GaN by ultra-high-pressure annealing

〇Hideki Sakurai^1,2,3, Tetsuo Narita⁴, Kazufumi Hirukawa², Kensuke Sumida², Shinji Yamada^1,2,3, Keita Kataoka⁴, Masahiro Horita^1,2, Nouyuki Ikarashi^1,2, Michal Bockowski^1,5, Jun Suda^1,2, Tetsu Kachi¹ (1.IMaSS, Nagoya Univ., 2.Nagoya Univ., 3.ULVAC ATI, 4.ToyotaCentralR&DLabs, 5.UNIPRESS)

Keywords:GaN, Mg-ions implantation, ultra-high-pressure annealing

縦型GaNパワーデバイスを実現する上でMgイオン注入技術によるpドーピングは重要である。これまでに我々はMgイオン注入後の活性化処理として超高圧アニール(ultra-high-pressure annealing: UHPA)を用いる事によって、少なくとも80%以上のMgアクセプタ活性化率を得られることを報告している。UHPAプロセス後の試料はMgとHの熱拡散が確認され、本講演ではこれらの現象について調査した結果を報告する。