[18a-Z15-1~10] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[18a-Z15-1] Mgイオン注入GaNの超高圧アニールによるMgとHの熱拡散

〇櫻井 秀樹^1,2,3、成田 哲生⁴、晝川 十史²、角田 健輔²、山田 真嗣^1,2,3、片岡 恵太⁴、堀田 昌宏^1,2、五十嵐 信行^1,2、Bockowski Michal^1,5、須田 淳^1,2、加地 徹¹ (1.名大IMaSS、2.名大工、3.アルバック先進研、4.豊田中研、5.UNIPRESS)

キーワード：GaN、Mgイオン注入、超高圧アニール

縦型GaNパワーデバイスを実現する上でMgイオン注入技術によるpドーピングは重要である。これまでに我々はMgイオン注入後の活性化処理として超高圧アニール(ultra-high-pressure annealing: UHPA)を用いる事によって、少なくとも80%以上のMgアクセプタ活性化率を得られることを報告している。UHPAプロセス後の試料はMgとHの熱拡散が確認され、本講演ではこれらの現象について調査した結果を報告する。