[18a-Z15-1~10] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[18a-Z15-2] PL 法による Mg イオン注入 GaN のアクセプタ活性化率の評価

〇宮崎 泰成¹、白石 舞翔¹、和田 竜垂¹、渡邉 健太²、大川 峰司²、大森 雅登¹ (1.大分大、2.ミライズテクノロジーズ)

キーワード：窒化ガリウム、イオン注入、フォトルミネッセンス

パワーデバイスを高性能かつ低コストに作製するにはイオン注入技術が必要不可欠だが，GaNではまだ確立されておらず，その開発が急務となっている。特にMgイオン注入によるp型GaNではアクセプタ濃度の定量が極めて難しいという問題がある。そこで本研究では，フォトルミネッセンス（PL）法を用いてGaN中のMgアクセプタ濃度を定量評価する手法を開発し，Mgイオン注入GaNの評価を行ったので報告する。