[18a-Z15-1~10] 13.7 Compound and power electron devices and process technology

[18a-Z15-4] Luminescence studies of p-type Mg-implanted GaN using vacancy-guided Mg diffusion

〇Kohei Shima¹, Ryo Tanaka², Shinya Takashima², Katsunori Ueno², Masaharu Edo², Kazunobu Kojima¹, Akira Uedono³, Shigefusa Chichibu^1,4 (1.IMRAM-Tohoku Univ., 2.Fuji Electric, 3.Univ. of Tsukuba, 4.IMaSS-Nagoya Univ.)

Keywords:GaN, Mg ion implantation, Luminescence

極最近、実用的なGa極性面と常圧PIAの組み合わせにおいて、I/I誘起空孔機構によるMg拡散(空孔ガイドMg拡散)を用いることにより総I/Iダメージ量が低減され、p型I/I-GaN:Mgの形成が実現された。今回は空孔ガイド拡散により作製されたI/I-GaN:Mgのフォトルミネッセンス(PL)および時間分解PL特性を報告する。