[18a-Z15-1~10] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[18a-Z15-4] Mgイオン注入後の空孔ガイド拡散法により形成したp型GaNのルミネッセンス評価

〇嶋 紘平¹、田中 亮²、高島 信也²、上野 勝典²、江戸 雅晴²、小島 一信¹、上殿 明良³、秩父 重英^1,4 (1.東北大多元研、2.富士電機、3.筑波大数物、4.名大 IMaSS)

キーワード：窒化ガリウム、Mgイオン注入、ルミネッセンス

極最近、実用的なGa極性面と常圧PIAの組み合わせにおいて、I/I誘起空孔機構によるMg拡散(空孔ガイドMg拡散)を用いることにより総I/Iダメージ量が低減され、p型I/I-GaN:Mgの形成が実現された。今回は空孔ガイド拡散により作製されたI/I-GaN:Mgのフォトルミネッセンス(PL)および時間分解PL特性を報告する。