[18a-Z15-1~10] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[18a-Z15-5] 超高圧熱処理を施したMgイオン注入GaNのPL評価

〇白石 舞翔¹、宮崎 泰成¹、和田 竜垂¹、渡邉 健太²、大川 峰司²、大森 雅登¹ (1.大分大、2.ミライズテクノロジーズ)

キーワード：窒化ガリウム、イオン注入、フォトルミネッセンス

次世代パワー半導体として注目されている窒化ガリウム（GaN）を用いたパワーデバイスの実現には，イオン注入法を用いてp型層を選択的に形成する技術が必要となる。本研究では，イオン注入とアニール処理によって生じる欠陥をフォトルミネッセンス（PL）法を用いて評価することを目的としている。本発表ではMgをイオン注入し超高圧アニール処理を施したGaN試料に対して，PLの試料温度依存性を測定したので報告する。