[18a-Z20-1~8] 6.1 強誘電体薄膜

[18a-Z20-3] スケーラブルで10⁹回書換可能なSBT系FeFETの開発

〇高橋 光恵¹、酒井 滋樹¹ (1.産総研)

キーワード：強誘電体、SBT、FeFET

SBT系FeFETの新規作製方法を考案しゲートチャネル長L = 85 nm、実測10⁵秒の長期データ保持、10⁹回書換を実証した。ゲート積層構造はIr/SBT/HfO₂/Siである。本作製方法はリプレースメントゲート型で、SBTのエッチング不要、リソグラフィ精度に沿った素子の面内高集積化が可能、Si製造プロセスとの親和性向上、SBTの成膜膜厚もLと共にスケーリングされる、等の利点を持つ。