10:30 〜 10:45
[18a-Z20-3] スケーラブルで109回書換可能なSBT系FeFETの開発
キーワード:強誘電体、SBT、FeFET
SBT系FeFETの新規作製方法を考案しゲートチャネル長L = 85 nm、実測105秒の長期データ保持、109回書換を実証した。ゲート積層構造はIr/SBT/HfO2/Siである。本作製方法はリプレースメントゲート型で、SBTのエッチング不要、リソグラフィ精度に沿った素子の面内高集積化が可能、Si製造プロセスとの親和性向上、SBTの成膜膜厚もLと共にスケーリングされる、等の利点を持つ。