10:45 AM - 11:00 AM
[18a-Z20-4] Features of SBT-Based FeFET : Comparison with HfO2-Based FeFET
Keywords:FeFET, SBT, ferroelectric thin film
SBT系FeFETはダミーゲートプロセスを用いることにより100nm以細のスケーリングについての見通しが立つようになった。SBT系FeFETは、書換え耐性が優れデータ書換え可能回数は108回以上を常時示してきた。HfO2系FeFETは、 メモリウィンドウは広いがデータデータ書換え可能回数は105回程度である。SBT系とHfO2系のFeFETを比較する。特に書換え可能回数の違いが生じる理由を論じる。