[18a-Z20-1~8] 6.1 強誘電体薄膜

[18a-Z20-4] SBT系強誘電体によるFeFETの特徴 — HfO₂系FeFETとの比較

〇酒井 滋樹¹、高橋 光恵¹ (1.産総研)

キーワード：強誘電体トランジスタ、SBT、強誘電体薄膜

SBT系FeFETはダミーゲートプロセスを用いることにより100nm以細のスケーリングについての見通しが立つようになった。SBT系FeFETは、書換え耐性が優れデータ書換え可能回数は10⁸回以上を常時示してきた。HfO₂系FeFETは、 メモリウィンドウは広いがデータデータ書換え可能回数は10⁵回程度である。SBT系とHfO₂系のFeFETを比較する。特に書換え可能回数の違いが生じる理由を論じる。