[18a-Z20-1~8] 6.1 強誘電体薄膜

[18a-Z20-5] 電場中の正確な分極を与える代数式：
従来の「イオン位置-分極対応とボルン有効電荷」の修正

〇渡部 行男¹ (1.九大理)

キーワード：強誘電体、分極、反電場

理想的試料の場合(欠陥や吸着物がない)、反電場が存在するが、電場下では、従来の分極計算は、不適切であることを示す。即ち、無電場では、イオンと電子雲は1:1の対応が有り従来法が使えるが、電場下では、この対応が部分的に崩れる。しかし、反電場は実験で求め難いので、イオン位置だけで、正しい分極と反電場を得る式を提案し、この式が正確であることを第一原理計算で示した結果を発表する。これは、イオン位置から、ユニットセル毎の分極分布、対抗分域中の分極や、３次元的な分布に、ご利用頂ける(反電場が消えない程に欠陥や吸着物がない場合)。また、第一原理計算では通常、理想試料なので、そのままご利用頂ける。これに関連し、「反電場によるvortex」の実験は、薄膜界面なので欠陥が多く、反電場は消えてるハズである。このため、実験でvortexとされているものは、歪起因＝a/c分域が適切と思える。