[18a-Z20-1~8] 6.1 強誘電体薄膜

[18a-Z20-7] Nd 添加 BFO 強誘電体膜の抵抗スイッチングにおけるPt/SRO上部電極の影響

〇橋本 泰秀¹、森本 章治²、吉田 将大¹ (1.金沢大自然院、2.金沢大理工)

キーワード：強誘電体、抵抗変化メモリ

現在ReRAM は高速動作、低消費電力のために次世代の不揮発性メモリの候補として注目を集めている。中でも強誘電体を用いた ReRAM では書き換え回数などの性能の向上が期待されている。我々はこれまでにPt/Si 基板上に強誘電体層として非鉛強誘電体Nd を10%置換した Bi_1.0Nd_0.1Fe_1.0O₃(BNF)、上部電極に Ptを堆積しMFM キャパシタ構造を作製し、各種特性評価を行ってきた。今回、上部電極PtとBNFの間に導電性酸化物のSROを挟むことによりBNFのメモリの疲労特性を改善したので報告する。