PDF ダウンロード スケジュール 5 いいね! 0 コメント (0) 09:15 〜 09:30 △ [18a-Z24-2] ALE法で意図的にN分布を変化させたGaAsN薄膜のアニール処理によるN分布と電気特性への影響 〇中島 凌1、河野 将大1、峰松 遼1、原口 智宏1、鈴木 秀俊1 (1.宮崎大学工) キーワード:GaAsN、原子層エピタキシー法、ホール効果