2021年第68回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

15 結晶工学 » 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

[18a-Z24-1~9] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

2021年3月18日(木) 09:00 〜 11:30 Z24 (Z24)

荒井 昌和(宮崎大)、藤川 紗千恵(埼玉大学)

09:15 〜 09:30

[18a-Z24-2] ALE法で意図的にN分布を変化させたGaAsN薄膜のアニール処理によるN分布と電気特性への影響

中島 凌1、河野 将大1、峰松 遼1、原口 智宏1、鈴木 秀俊1 (1.宮崎大学工)

キーワード:GaAsN、原子層エピタキシー法、ホール効果