[18a-Z24-1~9] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

[18a-Z24-6] 低温成長におけるGaAs_1-xBi_xのBi含有率の制御

〇富永 依里子^1,2、梅西 達哉¹、高垣 佑斗²、行宗 詳規³、石川 史太郎³ (1.広大先進理工、2.広大先端研、3.愛媛大理工)

キーワード：Bi系III-V族半導体混晶、低温成長